Окружний суд Техасу визнав Samsung Electronics винною в порушенні патенту, що належить патентному бюро Корейського інституту передових технологій (KAIST IP US), що базується в передмісті Далласа.
Читайте такожСуд зобов'язаннями язав Samsung виплатити Apple більше $500 мільйонів доларів
Про це повідомляє Комерсант.
"Тепер південнокорейському виробникові доведеться сплатити штраф у $400 мільйонів", - йдеться в повідомленні.
Як повідомляє агентство Bloomberg, мова йде про патент на технологію FinFet - транзистор, що дозволяє значно підвищити продуктивність мікрочіпа, при цьому знизивши його енергоспоживання.
Згідно із заявою KAIST IP US, спочатку південнокорейський виробник скептично поставився до винаходу, вважаючи його незначним.
Однак після того, як на нього звернув увагу головний конкурент Samsung на ринку напівпровідників - Intel, корейська компанія теж зайнялася розробкою цієї технології, порушивши тим самим угода між Intel і KAIST.
Південнокорейський виробник наполягає на тому, що працював над створенням FinFet разом із Корейським інститутом, а отже, не міг порушити прав на винахід.
Компанія має намір подати апеляцію на рішення окружного суду Техасу.
